PCP1208-TD-H
- ПроизводительON Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология SMD/SMT
- Вид монтажа SOT-89-3
- Упаковка / блок NPN
- Полярность транзистора Single
- Конфигурация 200 V
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 220 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 8 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 115 mV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 700 mA
- Максимальный постоянный ток коллектора 3.5 W
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 120 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия PCP1208