SMBT3904DW1T1G
- ПроизводительON Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-363-6
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.3 V
- Максимальный постоянный ток коллектора -
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 300 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия MBT3904DW1