2N4261/TR
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-72-3
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 15 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) - 15 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 4.5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 0.15 V
- Максимальный постоянный ток коллектора - 30 mA
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания -
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Серия -