ZXT10P20DE6QTA
- ПроизводительDiodes Incorporated
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-26-6
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 20 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) - 20 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 7 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 240 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора - 2.5 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 180 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -