2N4918
- ПроизводительCentral Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-126
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 40 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 600 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 3 MHz
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия 2N4918