2N4014
- ПроизводительCentral Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-18
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.52 V
- Максимальный постоянный ток коллектора -
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 300 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия 2N4014