NSS40200UW6T1G
- ПроизводительON Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-23-3
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 40 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) - 40 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 0.1 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 140 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия NSS40200UW6T1G