QS6Z5TR
- ПроизводительROHM Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-457T-6
- Полярность транзистора NPN, PNP
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 130 mV, - 200 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора 1 A, - 1 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 360 MHz, 400 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -