PMD16K100
- ПроизводительCentral Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-3-2
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 40 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 4 MHz
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Серия PMD16K100