2N5210
- ПроизводительCentral Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-92-3
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 4.5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 700 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора 50 mA
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 30 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия 2N5210