ZXTP2012ZTA
- ПроизводительDiodes Incorporated
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-89-3
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 60 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) - 100 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 160 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора 4.3 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 120 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия ZXTP2012