2N3838/TR
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок Flatpack-6
- Полярность транзистора NPN, PNP
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.4 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 600 mA
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания -
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Серия -