Искать:
VT6Z1T2R
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок VMT-6
  • Полярность транзистора NPN, PNP
  • Конфигурация Dual
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 20 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) 20 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 120 mV
  • Максимальный постоянный ток коллектора 400 mA, - 400 mA
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 350 MHz, 400 MHz
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия VT6Z1