NJW1302G
- ПроизводительON Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-3P-3
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 250 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 250 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.4 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 15 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 30 MHz
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия NJW1302