2N6029
- ПроизводительCentral Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-3-2
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 16 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 1 MHz
- Минимальная рабочая температура - 60 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия 2N6029