2N327A
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Through Hole
- Вид монтажа TO-5-3
- Упаковка / блок PNP
- Полярность транзистора Single
- Конфигурация - 40 V
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 50 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) - 20 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 0.3 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Максимальный постоянный ток коллектора 250 mW
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания -
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 165 C
- Серия -