2N5262
- ПроизводительCentral Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Through Hole
- Вид монтажа TO-39-3
- Упаковка / блок NPN
- Полярность транзистора Single
- Конфигурация 50 V
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 75 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 5 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 0.8 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3 A
- Максимальный постоянный ток коллектора 5 W
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 250 MHz
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Серия 2N5262