Искать:
2N3501/TR
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок TO-39-3
  • Полярность транзистора NPN
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 150 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) 150 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.4 V
  • Максимальный постоянный ток коллектора 300 mA
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания -
  • Минимальная рабочая температура - 65 C
  • Максимальная рабочая температура + 200 C
  • Серия -