TTA004B,Q
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-126N-3
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 160 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) - 160 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 6 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 500 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора - 1.5 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия TTA004B