US6T8TR
- ПроизводительROHM Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-363T-6
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 12 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) - 15 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 85 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора - 1.5 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 400 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -