UMZ8NTR
- ПроизводительROHM Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок -
- Полярность транзистора NPN, PNP
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 12 V, 50 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 15 V, 60 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Максимальный постоянный ток коллектора 0.15 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 180 MHz, 260 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия UMZ8N