Искать:
2N3866A
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок TO-39-3
  • Полярность транзистора NPN
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) 55 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 3.5 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1 V
  • Максимальный постоянный ток коллектора -
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 800 MHz
  • Минимальная рабочая температура - 65 C
  • Максимальная рабочая температура + 200 C
  • Серия 2N3866A