PN3563
- ПроизводительCentral Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-92-3
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 12 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Максимальный постоянный ток коллектора -
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 600 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия PN35