NJVMJD32CG
- ПроизводительON Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DPAK-3
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 100 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) - 100 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.2 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 5 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 3 MHz
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия MJD32C