2N2368
- ПроизводительCentral Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-18
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 15 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 40 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 4 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.25 V
- Максимальный постоянный ток коллектора -
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 400 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия 2N2368