NSS1C301ET4G
- ПроизводительON Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DPAK-3
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 140 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.115 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 6 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 120 MHz
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия NSS1C301E