QS5W1TR
- ПроизводительROHM Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-25T-5
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 200 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора 3 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 270 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -