2N3738 PBFREE
- ПроизводительCentral Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-66-2
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 225 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 250 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
- Максимальный постоянный ток коллектора -
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 10 MHz
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Серия 2N37