RXT2907AT100
- ПроизводительROHM Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок MPT-3
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 60 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) - 60 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 400 mV, - 1.6 V
- Максимальный постоянный ток коллектора -
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 200 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -