Искать:
2N3495
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок TO-39-3
  • Полярность транзистора PNP
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 120 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 4.5 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.35 V
  • Максимальный постоянный ток коллектора -
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 150 MHz
  • Минимальная рабочая температура - 65 C
  • Максимальная рабочая температура + 200 C
  • Серия 2N3495