VT6T11T2R
- ПроизводительROHM Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок VMT-6
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 20 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) - 20 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 120 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора - 200 mA
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 350 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -