PBSS5130PAP,115
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DFN-2020-6
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 30 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) - 30 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 7 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 85 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора - 2 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 125 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -