2N2483
- ПроизводительCentral Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-18-3
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 350 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора 1 mA
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 60 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия 2N2483