SSVBC846BPDW1T1G
- ПроизводительON Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-363-6
- Полярность транзистора NPN, PNP
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 65 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V, 6 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 0.3 V, 0.25 V
- Максимальный постоянный ток коллектора - 100 mA, 100 mA
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия BC846BPDW1