PMBTA42DS,125
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-457-6
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 300 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 300 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 200 mA
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 50 MHz
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия PMBTA42DS