TSC742CZ C0G
- ПроизводительTaiwan Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-220-3
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 420 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 1050 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 15 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -