2N6099
- ПроизводительCentral Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-220-3
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 70 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 10 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 5 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия 2N6099