ZXT12N20DXTA
- ПроизводительDiodes Incorporated
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок MSOP-8
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 20 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7.5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 160 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора 3.5 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 112 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия ZXT12