Искать:
ZXTP2012ASTZ
Технические характеристики
  • Технология -
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок E-Line-3
  • Полярность транзистора PNP
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
  • Максимальный постоянный ток коллектора 3.5 A
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 120 MHz
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия ZXTP20