QSZ4TR
- ПроизводительROHM Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-25-5
- Полярность транзистора NPN, PNP
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) -
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 280 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия QSZ4