Искать:
2N2896
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок TO-18
  • Полярность транзистора NPN
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 90 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) -
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) -
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.6 V
  • Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 120 MHz
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Серия -