PBSS4130PAN,115
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DFN-2020-6
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 75 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 165 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -