2N3725A
- ПроизводительCentral Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-39-3
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 900 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора 1.2 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 300 MHz
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия 2N3725