SMUN5313DW1T1G
- ПроизводительON Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Конфигурация Dual
- Полярность транзистора NPN, PNP
- Типичное входное сопротивление 47 kOhms
- Типичный коэффициент деления резистора 1
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-363-6
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe80
- Максимальная рабочая частота -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
- Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
- Пиковый постоянный ток коллектора -
- Pd - рассеивание мощности 187 mW
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия MUN5313DW1
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel