MJ11022G
- ПроизводительON Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Конфигурация Single
- Полярность транзистора NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 250 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 50 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 250 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 15 A
- Максимальный ток отсечки коллектора -
- Pd - рассеивание мощности -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-204-2 (TO-3)
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия MJ11022
- Квалификация -
- Упаковка Tray