NJVMJD127T4G
- ПроизводительON Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Конфигурация Single
- Полярность транзистора PNP
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
- Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA
- Pd - рассеивание мощности -
- Вид монтажа -
- Упаковка / блок -
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия MJD127
- Квалификация AEC-Q101
- Упаковка Cut Tape, Reel