NJVMJD32CT4G
- ПроизводительON Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Конфигурация Single
- Полярность транзистора PNP
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
- Максимальный постоянный ток коллектора -
- Максимальный ток отсечки коллектора 50 uA
- Pd - рассеивание мощности 15 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DPAK
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия MJD32C
- Квалификация AEC-Q101
- Упаковка Cut Tape, Reel