MJD44E3T4G
- ПроизводительON Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Конфигурация Single
- Полярность транзистора NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) -
- Максимальный постоянный ток коллектора 10 A
- Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA
- Pd - рассеивание мощности -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK)
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия MJD44E3
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel