2N6052G
- ПроизводительON Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Конфигурация Single
- Полярность транзистора PNP
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 12 A
- Максимальный ток отсечки коллектора 1000 uA
- Pd - рассеивание мощности 150 W
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-204-2 (TO-3)
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия 2N6052
- Квалификация -
- Упаковка Tray