MJ11013
- ПроизводительCentral Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Конфигурация Single
- Полярность транзистора PNP
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 90 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 90 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 30 A
- Максимальный ток отсечки коллектора -
- Pd - рассеивание мощности 200 W
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-3
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия MJ11013
- Квалификация -
- Упаковка Tube